主要特性与技术指标
•用于晶片掺杂的C-V测量
•变容二极管的C-V表征和分类。
•射频混频器和转换二极管的电容测试。
•通过进厂检验的应用直流偏置测试电容器。
•测量时间:10ms/20ms/30ms
•测量精度:0.1%(20ms)
•内部直流偏置:0至+/-38V,0.1%可编程扫描
•测量范围:0.00001pF至1280pF
主要特性与技术指标
•用于晶片掺杂的C-V测量
•变容二极管的C-V表征和分类。
•射频混频器和转换二极管的电容测试。
•通过进厂检验的应用直流偏置测试电容器。
•测量时间:10ms/20ms/30ms
•测量精度:0.1%(20ms)
•内部直流偏置:0至+/-38V,0.1%可编程扫描
•测量范围:0.00001pF至1280pF